Skalierbares BMS der nächsten Generation für Hochspannungsanwendungen
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Das n-BMS ist das skalierbare BMS der nächsten Generation für Hochspannungsanwendungen. Es handelt sich um ein verteiltes System, in dem die Management Control Unit (MCU) mit bis zu 32 Cell Monitoring Units (CMU) kommuniziert.
Jede CMU verwaltet bis zu 12 Spannungskanäle in Reihe und daher ist das n-BMS für die Verwaltung von bis zu 1000 V ausgelegt. Die CMUs gibt es in 2 verschiedenen Varianten von 2 bis 12 Temperaturkanälen.
Das n-BMS kann über die lizenzierte n-BMS CREATOR-Software konfiguriert werden, die es dem Batterieintegrator ermöglicht, ein einzigartiges Batteriedesign zu erstellen und es speziell an seine Bedürfnisse anzupassen.
Stromversorgung: | 6-35 V |
Anzahl der unterstützten CMUs: | 1-32 |
Anzahl der in Reihe geschalteten Zellen für das Gesamtsystem: | 384 |
Bereich der Hochspannungsmessung: | 0:1000 - XNUMX:XNUMX VDC |
Genauigkeit der Hochspannungsmessung: | ± 1 VDC |
Bereich des Strommesseingangs Shunt: | ± 150 mV |
Genauigkeit des Strommesseingangs Shunt | ±1.0 mV -40 – 85 °C |
Bereich des Strommesseingangs (Hall-Effekt-Sensor): | 0.0 – 5.0 V, 0.0 – 2.5 V Stromeingang, 2.5 V – 5.0 V Stromausgang |
Genauigkeit des Strommesseingangs (Hall-Effekt-Sensor): | ±1.5 mV -40 – 85 °C |
Genauigkeit der Temperatur (NTC): | ±1 °C -40 – 85 °C |
Stufen der Erdschlusserkennung (Leckage): | 250/500/1000 Ω/V zwischen GND und HV+/- |
Standby-Verbrauch: | <8.5 mW bei 12V-Versorgung |
Aktiver Konsum: | <3.5 W bei 12 V-Versorgung |
Kommunikationsschnittstelle, Master-Slave: | isoSPI |
Unterstützter CAN-Kommunikationstyp: | CAN 2.0A/B 11-Bit- und 29-Bit-IDs |
Unterstützte CAN-Geschwindigkeiten: | 125, 250, 500, 1k kbit/s |
Anzahl CAN-Ports: | 2, ein isolierter CAN, ein nicht isolierter CAN |
Externe GPIOs: | 16 (Aktiv niedrig) |
Schnittstellen zur Ladegerätsteuerung: | CAN |
Anzahl Zellen pro Einheit: | 3–12 Zellen (mindestens 11 V, zur Stromversorgung der CMU) |
Erfassbare Zellspannung: | 0:5 - XNUMX:XNUMX VDC |
Zellausgleichstopologie: | Dissipativ |
Zellausgleichsstrom: | 200 mA, bei Zellspannung 4.2 V |
Zellspannung typisch sampling zeit: | 100 ms |
Genauigkeit der Einzelzellenspannung: | ±1.5 mV von -40 bis +85 °C |
Bereich der Temperaturmessungen: | -40 Bis + 125 ° C |
Genauigkeit der Zelltemperatur (NTC): | ±1 °C -40 – 85 °C |
Kommunikationsinterface: | isoSPI (Max. 5 m abgeschirmtes Kabel zwischen den Platinen) |
Standby-Verbrauch: | <269µW (mit 12 Zellen bei 3,2 V) |
Aktiver Konsum: | <326 mW (mit 12 Zellen bei 3,2 V) |
Patente: | ZT 200780048774, EP 0781788.6, US 8.350.529 |
Anzahl Zellen pro Einheit: | 4–12 Zellen (mindestens 12 V, zur Stromversorgung der CMU) |
Erfassbare Zellspannung: | 0:5 - XNUMX:XNUMX VDC |
Anzahl Temperatursensoren pro Einheit: | 4 (NTC-basiert) |
Zellausgleichstopologie: | Dissipativ |
Zellausgleichsstrom: | 200 mA, bei Zellspannung 4.2 V |
Zellspannung typisch sampling zeit: | 100 ms |
Genauigkeit der Einzelzellenspannung: | ±1.6 mV bei 25 °C |
Bereich der Temperaturmessungen: | -40 Bis + 85 ° C |
Genauigkeit der Zelltemperatur (NTC): | ±2 °C -40 – 0 °C | ±1 °C 0 – 40 °C | ±2 °C 40 – 85 °C |
Kommunikationsinterface: | isoSPI (Max. 5 m abgeschirmtes Kabel zwischen den Platinen) |
Standby-Verbrauch: | ~460 μW (12 μA) – mit 12 Zellen bei 3,2 V |
Aktiver Konsum: | ~690 mW (18 mA) – mit 12 Zellen bei 3,2 V |
Patente: | ZT 200780048774, EP 0781788.6, US 8.350.529 |
Via Magenta, 77/16A
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